WD 全新 3D NAND iNAND 嵌入式快閃記憶體產品系列,帶動行動數據蓬勃發展

WD 推出全新 iNAND 嵌入式快閃記憶體 (EFD) 產品系列,讓智慧型手機使用者能享受數據驅動的各種應用與體驗。新推出的 iNAND 8521 和 iNAND 7550 嵌入式快閃記憶體,採用 Western Digital 64 層 3D NAND 技術以及 UFS 與 e.MMC 介面技術。

用於智慧型手機與輕薄運算裝置時,這兩款產品能加速實現以數據為中心的各式應用需求,包括擴增實境 (AR)、高解析視訊的擷取、豐富的社群媒體體驗,以及近期崛起的人工智慧 (artificial intelligence, AI) 與物聯網 (IoT) 「邊際」(edge) 體驗。

數據的數量、速度丶種類與價值,持續在大數據 (Big Data)、快數據 (Fast Data) 與個人數據之中倍數成長並持續演化,而全球各地為數眾多的消費者,都將透過智慧型手機體驗這一波數據匯流風潮。

iNAND 8521 嵌入式快閃記憶體  展現 5G 網路的效能

iNAND 8521 嵌入式快閃記憶體專為對數據應用有強度需求的使用者設計,採用 UFS 2.1 介面以及 Western Digital 最新的第五代 SmartSLC 技術,與前一代針對旗艦智慧型手機所推出的 iNAND 7232 嵌入式快閃記憶體相比,連續寫入速度最高為其兩倍,隨機寫入速度最高可達 10 倍。iNAND 8521 能快速且智能地回應使用者的應用程式效能需求,無論操作虛擬實境遊戲或下載高解析電影的速度都如虎添翼。iNAND 8521 嵌入式快閃記憶體的數據傳輸速度卓越,讓行動用戶能利用最新 Wi-Fi 速度,並在 5G 網路時可以使用網路增強技術。

iNAND 7550 專為輕便、高容量主流智慧型手機所設計

iNAND 7550 嵌入式快閃記憶體讓行動裝置製造商生產符合成本效益的智慧型手機與運算裝置,提供充足的儲存空間,並同時提供快速的應用程式體驗。採用 e.MMC 5.1 規格,是 Western Digital 採用 e.MMC 介面所推出的眾多產品中效能最高的 iNAND 嵌入式快閃記憶體,連續寫入效能最高 260 MB/s,隨機讀/寫效能則分別為 20K IOPS 和 15K IOPS,讓 iNAND 7550 得以增強開機與應用程式開啟時間。

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消息及資料來源:Western Digital Corporation


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