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Western Digital 發表開發出適用於 64 層 3D NAND (BiCS3) 的 X4 (每單元 4 位元) 快閃記憶體架構技術,包括矽晶片加工和其相關設備工程以達到每個記憶體單元保存 4 位元的資訊(16 種信息狀態),以及快閃記憶體管理系統的專業技術。
BiCS3 X4 技術能在單一晶片上提供 768Gb (gigabits) 儲存容量,與採用 X3 (每單元3位元) 技術的 512Gb 晶片相比,提高 50% 的容量。Western Digital 將在今年 8 月美國加州聖塔克拉拉 (Santa Clara) 的快閃記憶體高峰會 (Flash Memory Summit) 上展示採用 BiCS3 X4 架構技術的 SSD 和可移動攜帶式產品。
Western Digital 記憶體技術執行副總裁 Siva Sivaram 博士表示:「X4 架構技術應用於 BiCS3 是 Western Digital 的一項重大發展,因為這不但證明了我們在 NAND 快閃記憶體技術領域的領導地位,也讓我們能提供客戶更多的儲存方案。這次發佈最重要的一點,就是在 BiCS3 採用 X4 架構的創新技術能提供與 BiCS3 X3 相當的效能。縮小 X4 與 X3 架構的效能差距,是一項重要和革新化的功能,有助於在未來幾年提高市場 對X4 架構技術的接受度。」
Western Digital 期望能將 3D NAND X4 技術商品化並應用到各種能充分利用 X4 更高容量優勢的終端產品。未來世代的 3D NAND 技術,包括 96 層 BiCS4 在內也預估將具備 X4 性能設計。
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消息及資料來源:Western Digital