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Western Digital 推出首款 96 層 3D NAND UFS 2.1 嵌入式快閃記憶體 (EFD, embedded flash drive) Western Digital iNAND MC EU321。新的快閃記憶體專為高階行動和運算裝置所設計，包括人工智慧(AI)、擴增實境(AR)、多鏡頭高解析度攝影、4K影片拍攝等各式需要高效能的應用都能夠加速運行，擁有不間斷的運行體驗。
採用 Western Digital 的 96 層 3D NAND 技術、UFS 2.1 介面技術和 Western Digital 的 iNAND SmartSLC 5.1 架構，新推出的 Western Digital iNAND MC EU321 嵌入式快閃記憶體為智慧型手機、平板電腦和個人筆電裝置帶來數據效能，即使裝置容量空間接近全滿，仍能享受順暢的行動體驗。
隨著更多以數據為中心的應用將在行動及運算裝置上運行，預期將帶動未來幾年行動數據在數量、傳輸速度與數據種類的爆發性的成長。
- 多鏡頭高解析度行動攝影與錄影，以及人工智慧輔助攝影，為使用者提供了創造、分享其數位內容的全新功能。
- 5G 網路使下載和傳輸速度變得超快速，改變了消費者及其裝置與內容互動的方式。
- 位於行動裝置邊緣(edge)並由 5G 所驅動的人工智慧功能，提供了即時擷取、數據處理以及從中學習的能力。
研究機構 Counterpoint Research 表示，2017 到 2021 年間 NAND flash 平均儲存容量年複合成長率(CAGR)將高達 28%，主要是由於成熟平板電腦使用者壓抑已久的換機需求所帶動，特別是隨著娛樂及生產力成為主流使用情境，讓他們開始將裝置升級為螢幕更大、容量更高的功能強大連網機種。
所有這些數據密集的應用都需要更大容量和更快速度，以滿足消費者對行動裝置隨時隨地都能即時運作(on-the-go)的期望。 2018 年上半年出貨智慧型手機的嵌入式儲存容量，相較 2017 年上半年增加 40%，平均每支智慧型手機都有 51GB 的儲存容量，從而帶動市場對更高容量和更智慧儲存技術的需求提升。
針對數據密集、高階行動裝置進行最佳化
iNAND MC EU321 是 iNAND 系列最新生力軍，容量最高為 256GB，這系列 10 多年來深受全球各大智慧型手機及平板電腦製造商的信賴。iNAND MC EU321 嵌入式快閃記憶體連續寫入效能高達 550MB/s，能提供優秀的使用者體驗。
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圖片及資料來源：Western Digital
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