Western Digital 推出 BiCS5 3D NAND 技術,持續透過技術與製造的升級

Western Digital 成功開發出第五代 3D NAND 技術 BiCS5,持續提供先進的快閃記憶體技術。BiCS5採用三層單元(TLC)與四層單元(QLC)兩種架構,能以具吸引力的成本提供容量、效能與穩定性,滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。

Western Digital 已開始生產5 12Gb 的 BiCS5 TLC,並預計在 2020 年下半年就能開始商業化量產,供應採用新技術的消費性產品。未來,BiCS5 TLC 與 BiCS5 QLC 將提供包括 1.33Tb 等多樣的儲存容量選擇。

Western Digital 記憶體技術與製造部門資深副總裁 Steve Paak 博士表示,隨著下一個十年的到來,如何增加 3D NAND 容量以滿足龐大且快速增長的資料量需求是重要關鍵。藉由成功開發 BiCS5,Western Digital 展現了快閃記憶體技術,及強大的計畫執行力。我們利用更先進的多層儲存通孔(multi-tier memory hole)技術來增加橫向儲存密度,同時透過增加儲存層讓 3D NAND 技術的容量與效能顯著提升,以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。

採用多種新技術與創新製造工藝的 BiCS5 是 Western Digital 目前密度最高、最 3D NAND 技術。第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他 3D NAND 儲存單元技術大幅提升了晶圓的橫向儲存單元陣列密度。此外,BiCS5擁有112層垂直堆疊的儲存容量,使每晶圓的儲存容量比 96 層的 BiCS4 高出 40% ,可達到最佳成本。新架構設計也為BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能較BiCS4提高50%。

BiCS5 是由 Western Digital 與技術製造合作夥伴 Kioxia 共同開發,將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。

BiCS5 是以 Western Digital 完整的 3D NAND 技術為基礎而開發的技術;這些技術已廣泛應用於以資料為中心的個人電子裝置、智慧型手機、物連網裝置與資料中心。

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圖片及資料來源:Western Digital


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