Western Digital 完成第六代 162 層的 3D 快閃記憶體（BiCS6）技術開發，可降低單位的成本及提高製造數量

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Western Digital 與 Kioxia 鎧俠株式會社共同宣佈完成第六代 162 層的 3D 快閃記憶體（BiCS6）技術開發，為雙方 20 年的合作關係立下一個全新里程碑。Western Digital 與鎧俠採用多種新技術與創新製造工藝，開發出目前密度最高的 3D 快閃記憶體。

第六代 3D 快閃記憶體擁有超越傳統八維堆疊儲存通孔陣列的架構，橫向儲存單元陣列密度較第五代技術大幅提升 10%；此橫向擴充的技術與 162 層堆疊垂直記憶體結合，使每晶粒尺寸相比 112 層堆疊技術減少 40%，達到最佳成本效益。

Western Digital 和鎧俠團隊於第六代 3D 快閃記憶體上亦採用 Circuit Under Array CMOS 和 4-plane 架構，相較於上一代產品，程式效能提升近 2.4倍，讀取延遲降低 10%。而 I/O 效能亦可提升 66%，使新一代介面可滿足日益增長的快速傳輸速率需求。

整體而言， 3D 快閃記憶體技術與上一代相比，不僅降低每單位的成本，也使每晶圓可製造的晶粒數增加 70%。Western Digital 和鎧俠將持續推動創新技術以擴充記憶體容量，滿足客戶及其多樣的應用需求。