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劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices，簡稱CGD），一家專門開發節能GaN功率裝置的無晶圓廠潔淨技術半導體公司，近日宣布推出兩款新型ICeGaN 系列GaN功率IC封裝，具有低熱阻且便於光學檢查。這些新封裝提供了更高的功率輸出、節省了系統成本，並提高了可靠性。
新封裝的特點和優勢
CGD新推出的封裝包括DHDFN-9-1和BHDFN-9-1，均採用了經過充分驗證的DFN封裝技術，具備堅固可靠的特點。
- DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）：這是一種薄型雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10×10毫米，並採用了側邊可濕焊盤技術，便於光學檢查。其低熱阻（Rth(JC)）設計使其可以通過底部、頂部和雙側冷卻管道運行，設計上具有靈活性。特別是在雙側冷卻配置中，效能優於常用的TOLT封裝。該封裝還採用雙門引脚設計，有助於優化PCB佈局和簡單並聯，使客戶能夠輕鬆處理高達6千瓦的應用。
- BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）：這是一種底部冷卻式組件，同樣採用了側邊可濕焊盤技術，便於光學檢查。其熱阻為0.28 K/W，比肩或優於其他領先設備。BHDFN的外形尺寸為10×10毫米，雖然比常用的TOLL封裝更小，但具有相似佈局，便於使用和評估。
提高熱阻效能有以下好處：
- 更高功率輸出：在相同的RDS(on)下可以實現更多的功率輸出。
- 降低運行溫度：設備在相同功率下也能以較低的溫度運行，從而減少散熱需求，降低系統成本。
- 提高可靠性和壽命：更低的工作溫度也會帶來更高的可靠性和更長的壽命。
- 降低成本：如果應用需要更低的成本，設計者可以使用具有較高RDS(on)的低成本產品來實現所需的功率輸出。
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圖片及資料來源：美國商業資訊、英商劍橋氮化鎵器件有限公司
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