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Shin-Etsu Chemical 近日宣布開發出一款全新的半導體封裝基板製造設備，並計劃進一步探索 micro-LED 製造系統的新製造方法。該設備採用了高效能的準分子雷射技術，將雙大馬士革法應用于封裝基板製造過程中。這一創新技術，被稱為「Shin-Etsu 雙大馬士革法」，在後端製程中整合了中介層功能，實現了更加精細的加工，並降低了成本和資本投資。
這項技術在小晶片製造中顯示出了巨大潛力。小晶片技術通過將電路分離後組裝成一個封裝，有助於降低高效能半導體的製造成本。傳統方法需要將多個小晶片安裝在中間基板（中介層）上並連接起來，而 Shin-Etsu 雙大馬士革法則完全消除了對中介層的需求，使組裝過程得以大幅簡化。
新設備的核心在於其先進的微細加工技術，能夠直接在多層封裝基板的每個有機絕緣層中形成複雜的電路圖案，然後通過鍍銅形成電路。該技術使用準分子雷射作為光源，可以批量形成大面積的電路圖案，實現進一步的小型化微細加工，這是目前使用乾膜抗蝕劑的半增材加工（SAP）方法無法達到的。
此外，該設備結合了由 Shin-Etsu 的大型光罩坯料製成的光罩及其獨特的特殊鏡頭，能夠一次性加工 100 mm 見方或更大的區域。處理時間因封裝基板的尺寸而異，但處理佈線圖案和電極墊所需的時間與處理過孔所需的時間相同。舉例來說，在 515 mm x 510 mm 的有機基板上形成寬 2 μm、深 5 μm 的溝槽和直徑 10 μm、深 5 μm 的電極墊並形成通孔（上直徑 7 μm、下直徑 5 μm、深 5 μm），大約需要 20 分鐘。
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圖片及資料來源：美國商業資訊、Shin-Etsu Chemical
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