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Kioxia Corporation 宣布已開始出貨採用第八代 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體技術的 2Tb（兆位元）四級單元（QLC）存放裝置樣品。這款 2Tb QLC 記憶體擁有業界最高容量，將存放裝置提升到新的容量點，並推動包括人工智慧（AI）在內的多個應用領域的增長。
Kioxia 透過專有工藝和創新架構實現了記憶體晶片的縱向和橫向擴展。公司採用了突破性的 CBA（CMOS 直接鍵合到陣列）技術，實現更高密度的設備和 3.6Gbps 介面速度。這些先進技術共同應用於 2Tb QLC 的製造，造就了業界最高容量的存放裝置。
與 Kioxia 目前的第五代 QLC 設備相比，2Tb QLC 的位元密度高出約 2.3 倍，寫入能效高出約 70%，是 Kioxia 產品中容量最高的設備。最新的 QLC 設備在單個記憶體封裝中採用 16 晶片堆疊架構，實現了業界領先的 4TB（太位元組）容量。其封裝尺寸更小，為 11.5 x 13.5 毫米，封裝高度為 1.5 毫米。
Kioxia 技術長 Hideshi Miyajima 表示：「我們很高興推出採用第八代 BiCS FLASH™ 新技術的全新 2Tb QLC 樣品。2Tb QLC 產品具有業界領先的高密度、高速資料傳輸和卓越的能效，將為快速崛起的 AI 應用和需要節省電力和空間的大型儲存應用提供新的價值。」
除了 2Tb QLC，Kioxia 還推出了 1Tb QLC 存放裝置。與容量優化的 2Tb QLC 相比，性能優化的 1Tb QLC 的順序寫入效能提升了約 30%，讀取延遲改善了約 15%。1Tb QLC 將部署在高性能應用中，包括用戶端 SSD 和行動裝置。
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圖片及資料來源：美國商業資訊、Kioxia
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