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隨著無線標準和頻帶（frequency band）支援越來越多的應用，意法半導體推出高性能和高整合度市場需求的 STW81200 RF 合成器，採用 BiCMOS（SiGe）製造技術，單晶片整合寬頻電壓控制震盪器（voltage-controlled oscillators，VCO）、雙架構相位鎖定迴路（phase-locked-loop，PLL）內核、低雜訊穩壓器，以及符合各種 RF 要求的可編程硬體選項。
在基地台、無線電鏈接（radio link）、衛星、通訊、量測等應用中，系統的總體性能與 RF 合成器的相位雜訊（phase noise）密切相關。這些應用需要高整合度和最佳化的成本，同時又不能犧牲 RF 性能。在滿足這些要求過程中，STW81200 可支援多頻多標準及軟體定義（software-defined）的 50MHz 到 6GHzRF 輸出，同時提供 -227 dBc/Hz 正規化頻內相位雜訊層，當通訊載波為 4.0GHz、頻率偏移 1MHz 時，電壓控制震盪器相位雜訊為 -135 dBc/Hz，相位雜訊層為 -160 dBc/Hz。
5V、3.6V 或 3.0V 非穩壓單電源讓 STW81200 在市場相當獨特，經最佳化的功耗和性能使其應用範圍從傳統市電供電基礎設施擴至以電池供電的可攜式裝置。已獲市場認同的 STW8110x 產品系列不斷演進，新 RF 合成器的性能和靈活度也越來越高，在同一電路板設計上可支援多頻和多 RF 標準（logistic）。
消息及資料來源：意法半導體
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