ARM 和聯華電子推出全新 55奈米 ULP 實體 IP

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ARM 與聯華電子宣布 ARM Artisan 實體 IP的新進展,加速發展 ARM 處理器核心的嵌入式系統和物聯網相關應用。

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聯華電子 55奈米超低功耗製程(55ULP)技術成為低耗能物聯網應用的解決方案,而實體 IP 將有助於晶片設計團隊,加速並簡化為物聯網和其他嵌入式系統開發ARM系統單晶片(SoC)。

對許多講求低耗電的應用而言,盡可能最大化電池使用壽命是成功設計的關鍵。Artisan 實體 IP平台將強化聯華電子的 ULP技術,最大化電源效率和降低漏電功耗。主要功能如支援厚閘極氧化層(thick gate oxide)和多通道長元件庫,讓 SoC工程師能運用各種工具實現物聯網應用的最佳化設計

Artisan 元件庫將支援:

  • 9v 超低電壓範圍,和 1.2v 電壓範圍操作相比,最高可節省 44%動態電力和 25%漏電功耗
  • 多通道元件庫提供各種臨界電壓(Vt)選項,可讓 SoC工程師在漏電功耗和效能之間有多種組合選擇。長通道元件庫可進一步降低高達80%的漏電。電源管理工具組(PMK)可減少動態電力和漏電的損失。
  • 創新的厚閘極氧化層元件庫可大幅降低不斷電元件(always ON cells)的漏電值。元件庫可與較高電壓(包括物聯網裝置使用的電池電壓)連接,因此還具備了免裝電壓調節器的優勢。
  • 次世代高密度記憶體編譯器提供多重電力整合模式,在極小化待機漏電功耗時保留存儲狀態。

消息及資料來源:ARM、聯華電子

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