HGST 展示常駐記憶技術,效能接近 DRAM

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Western Digital 旗下HGST 應用相變化記憶體(PCM)與 Mellanox Technologies 合作,展示創新性的記憶體內運算叢集架構,它搭載 PCM 技術、具備 RDMA 功能,效能接近 DRAM,但總體擁有成本更低且擴充能力更佳。

記憶體內運算是資料中心的熱門趨勢,Gartner 預估在 2018年底,該市場的軟體營收將會超過 90 億美元。記憶體內運算與舊有架構相比擁有更快的運算效能、更佳的擴充能力,能夠即時深入分析資料,創造更高商業價值。

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就現代資料中心應用而言,採用 DRAM 儲存資料有容易漏失的風險導致成本增加,而擴增主要記憶體才能避免該風險,並帶來更大的俾益。此外,由於DRAM 儲存資料的電容會漏電,每一秒都需重寫入多次才能避免資料遺失。光是重新寫入的耗電量,就高達伺服器總耗電量的 20%~30 %。新的非揮發性記憶體技術 (例如 PCM) 則沒有重新寫入的電力需求,因此擴充主要記憶體的效能會比 DRAM 更好。

HGST 創新性的常駐記憶技術實現可靠、可擴充、低功耗的記憶體,效能接近 DRAM,但不需修改 BIOS 或重覆寫入應用。遠端 PCM 在網路 (如乙太網路或InfiniBand) 採用的遠端直接記憶存取 (RDMA) 技術進行擴充,將可以迅速部署大規模的記憶體內運算。這個以網路為基礎方法可讓應用程式利用多台電腦上的非揮發性 PCM 進行必要的擴充。

在 HGST Mellanox 的展示中,512 B 讀取的隨機存取延時不到 2 微秒,而且在 InfiniBand 上使用 RDMA 時,2 KB 區塊大小的傳輸量超過 3.5 GB/s。

HGST 技術長 Steve Campbell 表示:「DRAM 既昂貴又耗電,但由於目前的替代性低、速度太慢,沒有較佳的替代方案。我們研究小組去年展示的相變化記憶體,價格較低,同時也能成為大容量的儲存層,連接主要記憶體與永久儲存空間,是能夠成為替代 DRAM 效能的最佳方案。整個資料中心需要更多的創新來協助效能升級。我們與Mellanox的合作證明,非揮發性主要記憶體將可以透過網路進行擴充,在延時方面也能符合記憶體內運算應用的效能標準。」

消息及資料來源:HGST 昱科環球儲存股份有限公司

 

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