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意法半導體的新系列功率 MOSFET 讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品 是全球首款擁有超接面技術優勢及 1500V 漏極-源極（drain-to-source）崩潰電壓（breakdown voltage）的電晶體。
這項新產品鎖定電腦伺服器及工業自動化市場。伺服器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是讓伺服器最大幅度減少斷電停機時間的關鍵因素，焊接、工廠自動化等工業應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在 75W 至 230W 之間或更高，超接面 MOSFET 技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的最佳選擇。
MDmesh K5 功率 MOSFET 系列將此項技術提升至一個全新的水準，單位面積導通電組（Rds(on)） 和柵極電荷量（Qg）均創市場最低，並擁有業界最佳的FoM （品質因素）。新產品是目前主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振（quasi-resonant）與主動式箝位返馳轉換器以及 LLC 半橋式轉換器，均要求寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200W的電源。
該系列先推出的兩款產品 STW12N150K5 及 STW21N150K5 其最大漏源電流分別達到 7A 和 14A，柵極電荷量僅有 47nC（STW12N150K5）／導通電阻僅 0.9Ω （STW21N150K5）。
消息及資料來源：STMicroelectronics 意法半導體
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