Toshiba 推出第三代 1200 V 碳化矽二極體,提升工業電源設備效能

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Toshiba 宣布擴充第三代碳化矽 (SiC) 肖特基柵極二極體 (SBD) 系列,推出全新的「TRSxxx120Hx 系列」1200 V 產品,專為光伏逆變器、電動車充電站及工業開關電源等應用設計。目前該系列已開始提供十款新品,包括五款採用 TO-247-2L 封裝和五款採用 TO-247 封裝的產品。

這次推出的 1200 V TRSxxx120Hx 系列,採用 Toshiba 改良的第三代 650 V SiC SBD 接面柵極肖特基 (JBS) 結構,並使用了新型金屬技術。這讓產品在性能表現上更上一層樓,具有 1.27 V 的低正向電壓、低總電容電荷及低反向電流等特點,能大幅降低工業電源設備的耗電量,特別適合高需求的電源應用。

Toshiba 表示,將持續擴展 SiC 電源器件產品線,致力於提供更高效、更節能的解決方案,進一步協助工業電源設備減少能源損耗並提升整體效能。

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圖片及資料來源:美國商業資訊、Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

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