「加三嘻行動哇 Yipee! 成為好友」
【Facebook、Youtube、Twitter、Instagram、Telegram、Line】
全球記憶體技術公司 Kioxia 宣布將於 2024 年的 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 上發表最新記憶體技術研究成果。該會議將於 12 月 7 日至 11 日在美國三藩市舉行，Kioxia 預計展示多項前瞻性技術，特別是在 AI、運算和儲存系統領域的應用。
新興記憶體技術強化 AI 和運算效能
Kioxia 長期專注於半導體記憶體的研發，推動人工智慧與數位轉型的進程。除了其知名的 3D 閃存技術 BiCS FLASH 之外，Kioxia 也在新興記憶體解決方案上取得顯著進展，致力於解決未來運算與儲存系統所需的高效能需求。
傳統的運算系統依賴 DRAM 進行快速數據處理，並使用閃存儲存大量數據。Kioxia 則透過領先的儲存級記憶體 (SCM) 技術，研發出介於 DRAM 和閃存之間的新解決方案，以更大容量和更高速度進行數據處理。
IEDM 2024 展示三大記憶體技術突破
Kioxia 將於會議上重點介紹三項新技術，分別針對 DRAM、SCM 和 3D 閃存：
1. 氧化物半導體通道電晶體 DRAM (OCTRAM)
與南亞科技共同開發，透過提升電晶體性能實現更低功耗，適用於 AI、5G 和物聯網設備。這項技術將有效降低應用程式的電流洩漏，提升整體效能。
2. 高容量交叉點 MRAM 技術
與 SK 海力士合作開發，這項技術結合選擇器與磁性隧道結技術，能在小型化的 MRAM 單元中實現穩定的數據讀寫操作，對 AI 和大數據處理有實質幫助。
3. 新一代 3D 記憶體技術
採用水平堆疊的 3D 結構，解決了傳統 NAND 型單元在層數增加時性能下降的問題，實現高位元密度與高可靠性的 3D 閃存解決方案。
Kioxia 預計這些新技術將為 AI、運算和儲存系統帶來革命性的進步，為未來的數據密集型應用提供更高效的解決方案。
圖片及資料來源：美國商業資訊、Kioxia
|
