Toshiba 為 USB 裝置和電池組保護開發 30V N 溝道共漏 MOSFET

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Toshiba 推出了低導通電阻、30V N 溝道共漏 MOSFET「SSM10N961L」,專門用來提供 USB 裝置和電池組保護。

以前 Toshiba 的 N 溝道共漏 MOSFET 系列產品一直聚焦 12V 產品,主要用於保護智慧型手機的鋰離子電池組。這次發布的 30V 產品可滿足更多電壓高於 12V 的應用,例如 USB 充電裝置電源線的負載開關以及筆記型電腦和平板電腦中鋰離子電池組的保護。

要達成具有低漏極-源極導通電阻(RDS(ON))的雙向開關,需要兩個具有低 RDS(ON)的 3.3×3.3mm 或 2×2mm MOSFET。Toshiba 新品採用全新的小巧輕薄封裝 TCSPAG-341​501(3.37mm×1.47mm(典型值),t=0.11mm(典型值)),在單封裝共漏配置下具備 9.9mΩ(典型值)的低源極-源極導通電阻(RSS(ON))。

USB Power Delivery (USB PD) 支援 15W (5V / 3A) 到最大 240W (48V / 5A) 的電源,專為需要大功率電源的裝置而開發。USB PD 規定了交換供電端和接收端的角色互換功能,並要求具有 USB 充電功能的裝置支持雙向供電,以便兩邊都能供電和受電。新產品是一種支援雙向供電且安裝面積較小的 N 溝道共漏 MOSFET。

新品與 Toshiba 的 TCK42xG 系列驅動器 IC 相結合,可形成一個具有防回流功能的負載開關電路或一個可在「先合後斷」(MBB)和「先斷後合」(BBM)之間切換操作的功率多工電路。Toshiba 也發布了植基於該產品組合的功率多工電路(使用共漏極MOSFET)的參考設計。使用該參考設計將有助於縮短產品設計和開發時間。

應用

  • 智慧型手機
  • 筆記型電腦
  • 平板電腦等

特點

  • 高額定源-源電壓:VSSS=30V
  • 低導通電阻:RSS(ON)=9.9mΩ(典型值)(VGS=10V)
  • 共漏極連接結構可達成雙嚮導通
  • 小巧輕薄的TCSPAG-341501封裝:3.37mm×1.47mm(典型值),t=0.11mm(典型值)

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資料來源:美國商業資訊、Toshiba

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