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半導體光罩供應商 Toppan Photomask 與 IBM 就使用極紫外(EUV)光刻技術的 2 奈米節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議，包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩。
根據協議，從 2024 年第 1 季起的 5 年內，IBM 和 Toppan Photomask 計劃在 Albany NanoTech Complex（美國紐約州奧爾巴尼）和 Toppan Photomask 的朝霞工廠（日本新座市）開發光罩技術。
2nm 及更高節點的半導體量產需要先進的材料選擇和製程控制知識，這遠遠超出了使用 ArF 準分子雷射作為光源的傳統主流曝光技術的要求。IBM 和 Toppan Photomask 協議整合這些重要材料和流程控制技術，為 2nm 及更高節點的量產提供解決方案。
IBM 和 Toppan Photomask 有著長久的技術合作歷史。2005 年至 2015 年，IBM 和 Toppan Photomask（當時的凸版印刷）一直共同推進先進半導體光罩的研究開發。聯合開發從 45nm 節點開始，範圍擴大到 32nm、22/20nm、14nm 節點，及初步的 EUV 研發活動。所累積的技術專長為全球半導體產業的發展做出了貢獻。
此後，Toppan Photomask 持續積極開發和生產用於 EUV 光刻的光罩和基板材料。此外，EUV 量產光罩和下一代開發光罩的製造需要先進的多電子束光刻設備，Toppan Photomask 安裝了多套最先進的多電子束光刻設備，以滿足最新的半導體技術路線要求。
Toppan Photomask 代表取締役社長兼執行長二之宮照雄表示: 「我們與 IBM 的合作對兩家公司來說都非常重要。這項協議將在支持半導體微型化、推動產業進步以及為日本半導體產業的發展做出貢獻等方面，發揮至關重要的作用。我們非常榮幸能夠在綜合評估我們的技術能力和成本競爭力的基礎上，被選為合作夥伴，我們將致力於加速實現2nm及更高節點製程。」
IBM 全球半導體研發副總裁 Huiming Bu 表示：「利用 EUV 和高 NA EUV 光刻系統的新型光罩技術預期將在 2nm 及更高節點的半導體設計和製造中發揮關鍵作用。我們與 Toppan Photomask 的合作旨在透過開發新的解決方案來加速先進邏輯半導體的微型化創新，從而實現先進的代工製造能力，這是日本半導體供應鏈的關鍵部分。」
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資料來源：美通社、Toppan Photomask
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