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NAND 快閃記憶體的發明者 Kioxia Corporation 因研發開創性的 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體技術，榮獲 2024 年「FMS 未來記憶體和儲存終身成就獎」。
這項殊榮由 Kioxia 工程團隊成員 Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido 和 Hiroyasu Tanaka 領取，表彰他們在 3D 快閃記憶體開發和商業化方面的卓越貢獻。這項突破性技術已成為一系列運算應用的基礎，包括先進智慧型手機、個人電腦、固態硬碟、資料中心、人工智慧和工業應用。
Kioxia 在 2007 年的 VLSI 研討會上首次提出了 BiCS FLASH 3D 快閃記憶體技術的概念。在公布原型後，Kioxia 持續推動該技術的最佳化和量產，並於 2015 年推出了全球首款 256 Gb、48 層 3D 快閃記憶體。
BiCS FLASH 3D 快閃記憶體採用 3D 堆疊結構，顯著提升了容量和效能，成為儲存產業的變革力量。該技術實現了更高密度的儲存解決方案，同時保持了可靠性和效率，大大增強了資料中心、消費電子產品和行動裝置的功能，並為快閃記憶體技術設立了新標準。透過利用垂直堆疊技術，Kioxia 的 BiCS FLASH 技術解決了平面 NAND 快閃記憶體的局限性，為記憶體儲存解決方案的未來發展奠定了基礎，並鞏固了 Kioxia Corporation 作為產業領導者的地位。
這項 3D 快閃記憶體技術還獲得了 2020 年日本國家發明表彰會頒發的帝國發明獎，以及 2023 年日本文部科學省科學技術表彰會頒發的科學技術獎和 2021 年 IEEE Andrew S. Grove 獎。
Kioxia 的持續創新和技術突破，不僅提升了其在快閃記憶體市場的地位，也推動了整個行業的技術進步。
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圖片及資料來源：美國商業資訊、Kioxia
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