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信越化學(Shin-Etsu Chemical)最近宣布,成功開發出專門用於氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(12英寸)QST 基板,並且已經開始供應樣品,這將大幅推動GaN元件的普及應用。
為GaN元件生產帶來新突破
信越化學此前已經推出150毫米(6英寸)和200毫米(8英寸)的QST基板,並且也提供這兩種尺寸的GaN on QST外延基板。隨著市場需求不斷增長,這次更是進一步推出 300毫米大直徑基板。對於GaN元件製造商來說,儘管矽基生產線能夠支持GaN的生長,但由於缺乏適合GaN的大直徑基板,始終無法充分發揮材料直徑增加的優勢。
信越化學的新型300毫米QST基板解決了這個問題,避免了外延層翹曲或開裂的情況,而這是在矽基板上難以達成的。這也意味著,GaN元件的生產成本將顯著降低,讓更多製造商可以以更低的成本投入量產。
QST基板的優勢
QST基板的熱膨脹係數與GaN相同,因此能有效抑制GaN外延層的翹曲與裂紋,即使在SEMI標準厚度的基板上也能穩定生長厚層GaN外延。許多客戶已經開始評估這類基板,尤其是在功率元件、高頻元件和LED等領域,這些應用對高品質的大直徑外延層有著迫切需求。
隨著數據中心電源等應用領域對功率元件的需求越來越大,信越化學提供的這種300毫米QST基板也將成為加速GaN元件普及的重要推手。
積極布局未來市場
除了強化150毫米和200毫米QST基板的生產設施外,信越化學也正在為 300毫米基板的量產積極準備,滿足未來需求。隨著300毫米QST基板的推出,GaN元件的應用範圍將更加廣泛,從資料中心到高效能電源管理,未來市場發展潛力無限。
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圖片及資料來源:美國商業資訊、Shin-Etsu Chemical 信越化學