Power Integrations 收購 Odyssey Semiconductor 資產,將強化高電壓、高功率氮化鎵技術

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全球節能功率轉換領導廠商Power Integrations宣布,將收購垂直型氮化鎵(GaN)電晶體技術開發商Odyssey Semiconductor Technologies旗下的資產。這項交易將於2024年7月正式成交,並預計Odyssey的關鍵員工將加入Power Integrations的技術部門。

這次收購將有助於Power Integrations推進其專利PowiGaN 的持續發展路線圖。PowiGaN 技術已應用於公司多個產品系列,包括 InnoSwitch 積體電路、HiperPFS-5 功率因數修正控制器積體電路以及最新推出的 InnoMux-2 獨立穩壓多輸出積體電路。此外,該公司在 2023 年推出了 900 和 1250 伏特的 PowiGaN 技術和產品。

Power Integrations 技術副總裁 Radu Barsan 博士表示,自2018年開始,我們就開始將PowiGaN技術應用於產品中,並一直站在氮化鎵開發和商業化的前沿。我們的發展路線圖目標宏大,計劃使矽 MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)成本更經濟,擴大PowiGaN的電壓和功率能力。Odyssey團隊在高電流垂直氮化鎵方面的經驗將加速這些努力,我們熱烈歡迎他們加入團隊。

Odyssey共同創辦人暨執行長Richard Brown博士也表示,我們非常榮幸能夠加入Power Integrations,加速發展他們的氮化鎵技術路線圖。作為首家商業化高電壓氮化鎵的公司,Power Integrations將領導這個產業,繼續推動成本、電壓、電流和系統級產品設計的發展,充分發揮氮化鎵的功能。

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圖片及資料來源:美國商業資訊、Power Integrations

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