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Toshiba 在最新一代採用超級結(super junction) 結構的DTMOSVI 系列中增加了DTMOSVI(HSD)功率MOSFET，帶有高速二極體，適用於開關電源，包括資料中心和太陽能光電電源調節器。首批兩款產品「TK042N65Z5」和「TK095N65Z5」（採用TO-247封裝的650V N溝道功率MOSFET）即日起開始出貨。
新產品採用高速二極體，改善了對橋式電路和逆變電路應用非常重要的反向恢復特性。相較於標準 DTMOSVI，它們的反向恢復時間(trr)縮短了65%，反向恢復電荷(Qrr)減少了88%（測量條件：-dIDR /dt= 100A/μs）。
新產品採用的DTMOSVI(HSD)製程改進了 Toshiba 帶高速二極體的DTMOSIV 系列(DTMOSIV(HSD))的反向恢復特性，在高溫條件下具有更低的漏極截止電流。「漏極-源極導通電阻×閘極-漏極電荷」的優點指標也更低。
相較於 Toshiba 目前的 TK62N60W5，TK042N65Z5 的高溫漏極截止電流降低了約 90%，漏極-源極導通電阻×閘極-漏極電荷降低了 72%。這一進步將減少設備的功率損耗，有助於改善效率。相較於目前的 TK62N60W5， TK042N65Z5 的電源效率最大提高了約 0.4%，這是在 1.5kW LLC 電路中測得的結果。
採用 TK095N65Z5 的參考設計「1.6kW伺服器電源（升級版）」已於在 Toshiba 網站上推出。除了能在短時間內驗證電路功能的 G0 SPICE 模型外，還提供能準確再現瞬態特性的高精確度 G2 SPICE 模型。
Toshiba 計畫推出 TO-220 和 TO-220SIS 通孔封裝以及 TOLL 和 DFN 8×8 表面黏著封裝的元件，從而擴大 DTMOSVI(HSD) 產品陣容。
除了已推出的 650V 和 600V 產品和帶有高速二極體的新產品外，還將繼續擴大 DTMOSVI 系列的產品陣容。
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資料來源：美國商業資訊
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