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英特爾與美光科技發表 3D XPoint 技術，這種非揮發性記憶體能徹底改造任何裝置、應用、服務，讓它們能快速存取大量的資料，擁有十足潛力。而這也是NAND快閃晶片自1989年推出以來，第一個新記憶體類別的重大突破！
連網裝置與數位服務的爆炸性成長，全球在 2013年創造出4.4 zettabytes的資料，到了 2020年預估將增加到 44 zettabytes，這新數據極其可觀。要讓這些資料發揮功用，系統必須快速地儲存與分析資料，更需要在設計記憶體與儲存解決方案時必須在成本、功耗、以及效能等因素之間取得最佳的平衡點。而全新的 3D XPoint 技術結合了現有記憶體技術在效能、密度、功耗、非揮發性、等優點，在數奈秒內將龐大的數據轉化成有用的資訊，速度比起 NAND 高 1,000倍，耐用度也提升了 1,000倍，密度也比傳統記憶體高出 10倍。
3D XPoint 技術經過十多年的研究與開發，滿足非揮發性、高效能、高耐用性、以及高容量儲存與記憶體的需求。開啟全新類別的非揮發性記憶體，不僅降低延遲，還讓更多資料能存放在緊鄰處理器的地方，並以過去非揮發性儲存產品不可能達到的速度來存取資料。
這全新技術不含電晶體的創新交叉點結構，組成一種三維棋盤架構，每個記憶體儲存單元位在字組線(word line)與位元線(bit line)的交叉點上，系統能單獨存取每個儲存單元。3D XPoint 技術包括垂直導體連結1280億個高密度配置的交叉點陣列結構，而除了緊湊的交叉陣列結構外，記憶體儲存單元還會堆疊成好幾層可堆疊晶粒。此外系統會藉由改變傳送到每個選擇器的電壓，對記憶體儲存單元進行存取與讀寫資料的動作，因此在選擇器(Selector)也有特別選擇。而這些新製程步驟與架構造不僅突破性記憶體技術，系統也能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序變得更快且更有效率。
而且更能提升對桌上型電腦的體驗，消費者能在社群媒體上更快互動與合作，或享受更逼真震撼的遊戲體驗。此技術的非揮發特性亦為各種低延遲儲存應用帶來更多的選擇，因為當裝置電源關閉後，資料並不會就此消失。
對此，英特爾資深副總裁暨非揮發性記憶體解決方案事業群總經理 Rob Crooke 表示：「數十年來業界尋找各種方法，努力降低處理器與資料之間的延遲，藉以加快分析的速度。這種新類別非揮發性記憶體可以達成此目標，為記憶體與儲存解決方案帶來顛覆性的效能。」
美光科技總裁Mark Adams 針對這項新技術也認為這項革命性的技術，不僅使系統能快速存取數量龐大的資料集，還能讓各界開發出許多嶄新的應用。
消息及資料來源：英特爾台灣分公司、美光科技
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