「加三嘻行動哇 Yipee! 成為好友」
【Facebook、Youtube、Twitter、Instagram、Telegram、Line】
信越化學（Shin-Etsu Chemical）最近宣布，成功開發出專門用於氮化鎵（GaN）外延生長的300毫米（12英寸）QST 基板，並且已經開始供應樣品，這將大幅推動GaN元件的普及應用。
為GaN元件生產帶來新突破
信越化學此前已經推出150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）的QST基板，並且也提供這兩種尺寸的GaN on QST外延基板。隨著市場需求不斷增長，這次更是進一步推出 300毫米大直徑基板。對於GaN元件製造商來說，儘管矽基生產線能夠支持GaN的生長，但由於缺乏適合GaN的大直徑基板，始終無法充分發揮材料直徑增加的優勢。
信越化學的新型300毫米QST基板解決了這個問題，避免了外延層翹曲或開裂的情況，而這是在矽基板上難以達成的。這也意味著，GaN元件的生產成本將顯著降低，讓更多製造商可以以更低的成本投入量產。
QST基板的優勢
QST基板的熱膨脹係數與GaN相同，因此能有效抑制GaN外延層的翹曲與裂紋，即使在SEMI標準厚度的基板上也能穩定生長厚層GaN外延。許多客戶已經開始評估這類基板，尤其是在功率元件、高頻元件和LED等領域，這些應用對高品質的大直徑外延層有著迫切需求。
隨著數據中心電源等應用領域對功率元件的需求越來越大，信越化學提供的這種300毫米QST基板也將成為加速GaN元件普及的重要推手。
積極布局未來市場
除了強化150毫米和200毫米QST基板的生產設施外，信越化學也正在為 300毫米基板的量產積極準備，滿足未來需求。隨著300毫米QST基板的推出，GaN元件的應用範圍將更加廣泛，從資料中心到高效能電源管理，未來市場發展潛力無限。
延伸閱讀：
Transphorm 推出新型雙向 SuperGaN 電源參考設計，幫助電動交通與能源/工業市場
CAMBRIDGE GAN DEVICES 推動 GaN 技術在電機控制領域的應用
CGD 推出新型低熱阻GaN功率IC封裝，適用於資料中心和逆變器等多種應用
Power Integrations 收購 Odyssey Semiconductor 資產，將強化高電壓、高功率氮化鎵技術
圖片及資料來源：美國商業資訊、Shin-Etsu Chemical 信越化學
|
