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GaN 氮化鎵功率半導體公司 Transphorm 與磁感測器和功率積體電路(PIC)以及光子學領域的全球半導體廠商 Allegro MicroSystems 宣佈合作，將擴展高功率應用的 GaN 功率系統設計，合作範圍包括 Transphorm SuperGaN FET和 Allegro AHV85110 隔離式柵極驅動器。
Transphorm SuperGaN FET 適用於各種拓撲結構，並提供多種不同的封裝，以支援寬功率範圍，同時滿足各種終端應用要求。SuperGaN FET 用於多種商業產品，包括經證明可顯著提高可靠性、功率密度和效率的更高功率系統。
Allegro 的自供電單通道隔離式柵極驅動器 IC 針對在多種應用和電路中驅動 GaN FET 進行了優化。事實證明，與同類柵極驅動器相比，AHV85110 的驅動器效率提高了 50%。這種獨特的解決方案大大簡化了系統設計，與市場上的其他解決方案相比，雜訊降低了 10 倍，共模電容降低了 15 倍。
Transphorm 全球銷售和 FAE 副總裁 Tushar Dhayagude 表示：「Allegro AHV85110 高壓柵極驅動器提供了一種高度緊湊且高效的功率級實施方案，有助於透過最少的外部元件數量和 Transphorm 功率器件周圍的偏置電源要求，將體積減少了大約 30%。與競爭技術相比，SuperGaN 具有更高的可靠性和動態開關性能，結合這些優勢，最終可為伺服器、資料中心、可再生能源和電動汽車等關鍵應用提供更高效、更強大、功率密度更高的解決方案。」
Allegro MicroSystems 副總裁兼高壓電源總經理 Vijay Mangtani 表示：「這次與 Transphorm 合作，期待著有機會將高壓隔離式柵極驅動器 AHV85110 與 Transphorm SuperGaN FET 相結合，以更小的外形尺寸實現更高的功率密度、更高的效率和更高的功率輸出。」
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資料來源：Transphorm、美國商業資訊
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